IRF2907ZSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF2907ZSTRLPBF par Infineon et IRF540NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF2907ZSTRLPBF | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $0,74 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 75 V | — |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | 170 A | — |
| Courant de drain continu (TC=100°C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | 4.5 mOhm | — |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | 3.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | 300 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Technology | IR HEXFET / IR MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Boîtier | D2PAK (TO-263AB) surface mount | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Type de montage | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (left orientation) | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |