IRF2907ZSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF2907ZSTRLPBF メーカー: Infineon および IRF540NSTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF2907ZSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.55 $0.74
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
連続ドレイン電流(TC=25°C) 170 A —
連続ドレイン電流(TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
パッケージ D2PAK (TO-263AB) surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
実装タイプ Surface Mount (SMD) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (left orientation) Tape & Reel (13-inch reel)
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
動作温度範囲 — -55 C to +175 C
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized)

データシート&リソース

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