IRF2907ZSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRF2907ZSTRLPBF por Infineon y IRF540NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IRF2907ZSTRLPBF | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,55 | $0,74 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 75 V | — |
| Corriente de drenador continua (TC=25°C) | 170 A | — |
| Corriente de drenador continua (TC=100°C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | 4.5 mOhm | — |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | 3.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | 300 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 C to +175 C | — |
| Technology | IR HEXFET / IR MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Encapsulado | D2PAK (TO-263AB) surface mount | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Recuento de pines | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (left orientation) | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |