IRF2907ZSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF2907ZSTRLPBF от Infineon и IRF540NSTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF - 75V 170A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF2907ZSTRLPBF - 75V 170A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF2907ZSTRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF2907ZSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,55 $0,74
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
Непрерывный ток стока (TC=25°C) 170 A —
Непрерывный ток стока (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Корпус D2PAK (TO-263AB) surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) —
Тип монтажа Surface Mount (SMD) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (left orientation) Tape & Reel (13-inch reel)
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Статус RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
Диапазон рабочих температур — -55 C to +175 C
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену