IRF2907ZSTRLPBF vs IRFR4615TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF2907ZSTRLPBF par Infineon et IRFR4615TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF2907ZSTRLPBF | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $0,39 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 75 V | — |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | 170 A | — |
| Courant de drain continu (TC=100°C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | 4.5 mOhm | — |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | 3.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | 300 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Technology | IR HEXFET / IR MOSFET | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| Boîtier | D2PAK (TO-263AB) surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Type de montage | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (left orientation) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 144 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | — | 109 mJ |