IRF2907ZSTRLPBF vs IRFR4615TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF2907ZSTRLPBF von Infineon und IRFR4615TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF2907ZSTRLPBF IRFR4615TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $0,39
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) 170 A —
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Gehäuse D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-252AA (DPAK)
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Montageart Surface Mount (SMD) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS-Status Compliant —
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Einzelpuls-Avalanche-Energie — 109 mJ

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