IRF2907ZSTRLPBF vs IRFR4615TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF2907ZSTRLPBF от Infineon и IRFR4615TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF - 75V 170A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF2907ZSTRLPBF - 75V 170A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF2907ZSTRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF2907ZSTRLPBF IRFR4615TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,55 $0,39
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
Непрерывный ток стока (TC=25°C) 170 A —
Непрерывный ток стока (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Корпус D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-252AA (DPAK)
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) —
Тип монтажа Surface Mount (SMD) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Статус RoHS Compliant —
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Энергия одиночного лавинного импульса — 109 mJ

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену