IRF2907ZSTRLPBF vs IRFR4615TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF2907ZSTRLPBF メーカー: Infineon および IRFR4615TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF2907ZSTRLPBF IRFR4615TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.55 $0.39
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
連続ドレイン電流(TC=25°C) 170 A —
連続ドレイン電流(TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
パッケージ D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-252AA (DPAK)
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
実装タイプ Surface Mount (SMD) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS ステータス Compliant —
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
動作温度範囲 — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
単一パルスアバランシェエネルギー — 109 mJ

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼