IRF640NPBF vs STP20NF20L Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF640NPBF par Infineon et STP20NF20L par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
STMicroelectronics
STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics
STP20NF20L ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IRF640NPBF | STP20NF20L |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | STMicroelectronics |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,88 | $0,48 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | STripFET™ (planar silicon gate) |
| Type de transistor | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Boîtier | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | TO-220 (through-hole, 3-lead) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 18 A (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.10 Ω (max) |
| Power Dissipation (PD) | — | 110 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge (Qg) | — | Low gate charge (STripFET™ optimized) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | Minimized by STripFET™ process |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| Process Technology | — | STripFET™ (low Qg, low Ciss) |