IRF640NPBF vs STP20NF20L Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF640NPBF от Infineon и STP20NF20L от STMicroelectronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

STMicroelectronics
STP20NF20L STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF640NPBF STP20NF20L
Бренд Infineon STMicroelectronics
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,88 $0,48
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC —
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) STripFET™ (planar silicon gate)
Тип транзистора N-Channel Enhancement Mode —
Корпус TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220 (through-hole, 3-lead)
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 18 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) — 0.10 Ω (max)
Power Dissipation (PD) — 110 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge (Qg) — Low gate charge (STripFET™ optimized)
Input Capacitance (Ciss) — Minimized by STripFET™ process
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Process Technology — STripFET™ (low Qg, low Ciss)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену