IRF9Z34NPBF vs IRF9Z34NSTRRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF9Z34NPBF par Infineon et IRF9Z34NSTRRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF9Z34NPBF IRF9Z34NSTRRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3-pin) —
Type de montage Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix PBF)
Part Number — IRF9Z34NSTRRPBF
Type de transistor — P-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — -55 V
Power Dissipation (Pd) — 68 W (Tc)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 K/W (max)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Boîtier / Format — D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab)
Operating Frequency — Optimized for switching below 100 kHz
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Packaging — Tape & Reel (STR suffix)

Fiches techniques et ressources

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