IRF9Z34NPBF vs IRF9Z34NSTRRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF9Z34NPBF por Infineon e IRF9Z34NSTRRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF9Z34NPBF IRF9Z34NSTRRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole, 3-pin) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix PBF)
Part Number — IRF9Z34NSTRRPBF
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — -55 V
Power Dissipation (Pd) — 68 W (Tc)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 K/W (max)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Encapsulamento / Caixa — D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab)
Operating Frequency — Optimized for switching below 100 kHz
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Packaging — Tape & Reel (STR suffix)

Fichas técnicas e recursos

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