IRF9Z34NSTRRPBF vs IRF9Z34NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF9Z34NSTRRPBF par Infineon et IRF9Z34NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9Z34NSTRRPBF —
Type de transistor P-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Power Dissipation (Pd) 68 W (Tc) —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 2.2 K/W (max) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Boîtier / Format D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab) —
Type de montage Surface Mount Through Hole
Operating Frequency Optimized for switching below 100 kHz —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free suffix PBF) Compliant
Packaging Tape & Reel (STR suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Boîtier — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Technology — HEXFET (5th generation)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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