IRF9Z34NSTRRPBF vs IRF9Z34NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF9Z34NSTRRPBF por Infineon e IRF9Z34NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Obsolete Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9Z34NSTRRPBF —
Tipo de transistor P-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Power Dissipation (Pd) 68 W (Tc) —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 2.2 K/W (max) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Encapsulamento / Caixa D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Operating Frequency Optimized for switching below 100 kHz —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Status RoHS Compliant (Pb-free suffix PBF) Compliant
Packaging Tape & Reel (STR suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Encapsulamento — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Technology — HEXFET (5th generation)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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