IRFH5015TRPBF vs IRF8734TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH5015TRPBF par Infineon et IRF8734TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH5015TRPBF IRF8734TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,48
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Boîtier 8-PQFN (5x6) SuperSO8 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Température de fonctionnement -55C to +150C (TJ max) —
Statut RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 20 nC
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Boîtier / Format — 8-SOIC (SO-8)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Avalanche Energy Rating — Fully characterized avalanche voltage
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (PBF suffix)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020]
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fiches techniques et ressources

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