IRFH5015TRPBF vs IRF8734TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFH5015TRPBF от Infineon и IRF8734TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFH5015TRPBF | IRF8734TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $0,48 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| Корпус | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| Рабочая температура | -55C to +150C (TJ max) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 20 nC |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Корпус / Типоразмер | — | 8-SOIC (SO-8) |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully characterized avalanche voltage |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Lead-free (PBF suffix) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |