IRFH5015TRPBF vs IRF8734TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFH5015TRPBF メーカー: Infineon および IRF8734TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFH5015TRPBF IRF8734TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.48
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
パッケージ 8-PQFN (5x6) SuperSO8 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
動作温度 -55C to +150C (TJ max) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 20 nC
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
パッケージ / ケース — 8-SOIC (SO-8)
動作温度範囲 — -55C to +150C (junction)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Avalanche Energy Rating — Fully characterized avalanche voltage
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (PBF suffix)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020]
Packaging — Tape & Reel (TR)

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