IRFH5015TRPBF vs IRF8734TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon e IRF8734TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH5015TRPBF IRF8734TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,48
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Encapsulamento 8-PQFN (5x6) SuperSO8 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Temperatura de operação -55C to +150C (TJ max) —
Status RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 20 nC
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Encapsulamento / Caixa — 8-SOIC (SO-8)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Avalanche Energy Rating — Fully characterized avalanche voltage
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (PBF suffix)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020]
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fichas técnicas e recursos

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