IRFH7084TRPBF vs IRF7469TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH7084TRPBF द्वारा Infineon और IRF7469TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFH7084TRPBF | IRF7469TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET™ (trench MOSFET) | IR MOSFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) | 100 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 265 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 156 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.25 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 0.95 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) max @ 25V | 6560 pF | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (TJ) | -55°C to +150°C (Tj) |
| पैकेज | 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) | 8-SO (SOIC-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Compliant | — |
| RthJC max | 0.96 °C/W (per datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | — | 9 A |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 17 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15 nC |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |