IRFH7084TRPBF vs IRF7469TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFH7084TRPBF توسط Infineon و IRF7469TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFH7084TRPBF IRF7469TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) IR MOSFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +150°C (Tj)
بسته‌بندی 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) 8-SO (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 1 (unlimited)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
بدون هالوژن Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت