IRFR6215TRPBF vs IRFR6215TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR6215TRPBF par Infineon et IRFR6215TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR6215TRPBF | IRFR6215TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,38 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -150 V | -150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | -13 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 110 W | — |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 0.295 ohm at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Technology | HEXFET (5th generation IR MOSFET) | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 | 1 |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free PBF suffix) | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -13 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 580 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 44 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |
| Lead-Free | — | Yes |