IRFR6215TRPBF vs IRFR6215TRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR6215TRPBF 제조: Infineon 및 IRFR6215TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR6215TRPBF IRFR6215TRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.65 $0.38
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V -150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -13 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 110 W —
On-Resistance (RDS(on) max) 0.295 ohm at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC —
동작 온도 범위 -55C to +175C —
패키지 TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 1
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
REACH Status Compliant —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
Lead-Free — Yes

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