IRFR6215TRPBF vs IRFR6215TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR6215TRPBF от Infineon и IRFR6215TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF - 150V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A | Infineon

IRFR6215TRPBF - 150V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A | Infineon

IRFR6215TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR6215TRPBF IRFR6215TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,38
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V -150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -13 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 110 W —
On-Resistance (RDS(on) max) 0.295 ohm at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL1 1
Статус RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
REACH Status Compliant —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену