IRFR6215TRPBF vs IRFR6215TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR6215TRPBF メーカー: Infineon および IRFR6215TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFR6215TRPBF IRFR6215TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.38
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V -150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -13 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 110 W —
On-Resistance (RDS(on) max) 0.295 ohm at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC —
動作温度範囲 -55C to +175C —
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 1
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
REACH Status Compliant —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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