IRFZ48NPBF vs IRFB7545PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ48NPBF par Infineon et IRFB7545PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ48NPBF IRFB7545PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,95
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 380 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB (Through-Hole)
Type de montage Through Hole Through Hole (THT)
Technology HEXFET (advanced planar) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Statut RoHS Compliant —
Qualification Standard Industrial market —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
Niveau MSL — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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