IRFZ48NPBF vs IRFB7545PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ48NPBF por Infineon e IRFB7545PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ48NPBF IRFB7545PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,95
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 380 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (Through-Hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole (THT)
Technology HEXFET (advanced planar) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Status RoHS Compliant —
Qualification Standard Industrial market —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
Nível MSL — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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