IRFZ48NPBF vs IRFB7545PBF 比較

詳細な並列比較: IRFZ48NPBF メーカー: Infineon および IRFB7545PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFZ48NPBF IRFB7545PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.95
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 380 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
動作接合温度 -55C to +175C -55C to +175C
パッケージ TO-220AB (through-hole) TO-220AB (Through-Hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole (THT)
Technology HEXFET (advanced planar) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
RoHS ステータス Compliant —
Qualification Standard Industrial market —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
MSLレベル — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

データシート&リソース

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