IRS2101STRPBF vs IR2104SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2101STRPBF par Infineon et IR2104SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2101STRPBF IR2104SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,41
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Nombre de sorties 2-OUT —
Configuration de sortie Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC
Type de montage Surface Mount —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Fonction — Half-bridge gate driver
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Temps de montée — 160 ns typical
Temps de descente — 60 ns typical
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +125 C

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