IRS2101STRPBF vs IR2104SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRS2101STRPBF от Infineon и IR2104SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRS2101STRPBF IRS2101STRPBF - 600V High/Low-Side Gate Driver IC | Infineon

IRS2101STRPBF - 600V High/Low-Side Gate Driver IC | Infineon

IRS2101STRPBF ✓ Активен
Infineon
IR2104SPBF IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRS2101STRPBF IR2104SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,18 $0,41
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Количество выходов 2-OUT —
Выходная конфигурация Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Рабочая температура -40C to +125C —
Корпус 8-SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC
Тип монтажа Surface Mount —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Статус RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Функция — Half-bridge gate driver
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Время нарастания — 160 ns typical
Время спада — 60 ns typical
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes
Диапазон рабочих температур — -40 C to +125 C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену