IRS2101STRPBF vs IR2104SPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2101STRPBF 제조: Infineon 및 IR2104SPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2101STRPBF IR2104SPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.18 $0.41
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
출력 수 2-OUT —
출력 구성 Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
동작 온도 -40C to +125C —
패키지 8-SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC
실장 유형 Surface Mount —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
RoHS 상태 Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
기능 — Half-bridge gate driver
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
상승 시간 — 160 ns typical
하강 시간 — 60 ns typical
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes
동작 온도 범위 — -40 C to +125 C

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