IRS2101STRPBF vs IR2104SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2101STRPBF por Infineon e IR2104SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2101STRPBF IR2104SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $0,41
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Número de saídas 2-OUT —
Configuração de saída Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento 8-SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC
Tipo de montagem Surface Mount —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Status RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Função — Half-bridge gate driver
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Tempo de subida — 160 ns typical
Tempo de descida — 60 ns typical
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +125 C

Fichas técnicas e recursos

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