ISZ173N15NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ173N15NM6ATMA1 par Infineon et ISZ072N06NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 ✓ Actif
Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 48 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 94 W —
Technology OptiMOS 6 trench-gate MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Boîtier PG-TSDSON-8 FL PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Operating Mode Enhancement Mode —
Application Hard and soft switching, high/low frequency —
Lead-Free Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Tape & Reel Quantity 5000 —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C ( Tj max 175C )
Niveau MSL — 1

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