ISZ173N15NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISZ173N15NM6ATMA1 제조: Infineon 및 ISZ072N06NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 ✓ 활성
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ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.18 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 48 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 94 W —
Technology OptiMOS 6 trench-gate MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
패키지 PG-TSDSON-8 FL PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Operating Mode Enhancement Mode —
Application Hard and soft switching, high/low frequency —
Lead-Free Yes —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Tape & Reel Quantity 5000 —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
전력 손실 (TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
동작 온도 범위 — -55C to +175C ( Tj max 175C )
MSL 레벨 — 1

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