ISZ173N15NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISZ173N15NM6ATMA1 от Infineon и ISZ072N06NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,18 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 48 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 94 W —
Technology OptiMOS 6 trench-gate MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Корпус PG-TSDSON-8 FL PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Operating Mode Enhancement Mode —
Application Hard and soft switching, high/low frequency —
Lead-Free Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
Tape & Reel Quantity 5000 —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C ( Tj max 175C )
Уровень MSL — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену