K4A4G045WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G045WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G045WD-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,45 | $3,58 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x4 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Speed Grade / Data Rate | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) | — |
| Boîtier | TFBGA-78 (FBGA-78) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Self Refresh | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Bank Architecture | DDR4 8 internal banks with bank groups | — |
| Refresh | Self refresh supported (per Partstack listing) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead Free Status | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| Packaging Option | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Débit de données | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Interface | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |