K4A4G045WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G045WD-BCRC от Samsung Electronics и K4A4G085WD-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung
K4A4G085WD-BCRC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A4G045WD-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,45 | $3,58 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 1G x4 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Speed Grade / Data Rate | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) | — |
| Корпус | TFBGA-78 (FBGA-78) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Self Refresh | Yes | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Bank Architecture | DDR4 8 internal banks with bank groups | — |
| Refresh | Self refresh supported (per Partstack listing) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead Free Status | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| Packaging Option | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Скорость передачи данных | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |