K4A4G045WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G045WD-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G085WD-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G045WD-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.45 | $3.58 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 1G x4 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Speed Grade / Data Rate | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) | — |
| 패키지 | TFBGA-78 (FBGA-78) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Self Refresh | Yes | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Bank Architecture | DDR4 8 internal banks with bank groups | — |
| Refresh | Self refresh supported (per Partstack listing) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead Free Status | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| Packaging Option | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| 데이터 속도 | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |