K4A4G045WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC 比較
詳細な並列比較: K4A4G045WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G045WD-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.45 | $3.58 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 1G x4 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Speed Grade / Data Rate | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) | — |
| パッケージ | TFBGA-78 (FBGA-78) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Self Refresh | Yes | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Bank Architecture | DDR4 8 internal banks with bank groups | — |
| Refresh | Self refresh supported (per Partstack listing) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead Free Status | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| Packaging Option | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| データレート | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| インターフェース | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |