K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WD-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G165WD-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,10 | $19,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| Type d'interface | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (external RZQ resistor) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C (commercial) |
| Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Débit de données | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Interface | — | SSTL-12 |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |