K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WD-BCTD 比較

詳細な並列比較: K4A4G165WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A4G165WD-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ 生産中
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K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCTD
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.10 $19.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
電源電圧 1.2 V —
パッケージ FBGA-96 96-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Generation Samsung D-die —
インターフェースタイプ DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Yes (external RZQ resistor)
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C (commercial)
RoHS ステータス Lead free / RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
データレート — 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Core Supply (VPP) — 2.5 V
インターフェース — SSTL-12
Data Mask — Yes (DM per byte lane)
Bank Architecture — 16 banks / 4 bank groups
On-Die Termination — Dynamic ODT
CRC / CA Parity — CRC read/write support
Reset — Asynchronous reset (RESET_n)

データシート&リソース

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