K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WD-BCTD 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WD-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G165WD-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ 활성
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCTD
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.10 $19.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
공급 전압 1.2 V —
패키지 FBGA-96 96-ball FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Generation Samsung D-die —
인터페이스 유형 DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Yes (external RZQ resistor)
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C (commercial)
RoHS 상태 Lead free / RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
데이터 속도 — 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Core Supply (VPP) — 2.5 V
인터페이스 — SSTL-12
Data Mask — Yes (DM per byte lane)
Bank Architecture — 16 banks / 4 bank groups
On-Die Termination — Dynamic ODT
CRC / CA Parity — CRC read/write support
Reset — Asynchronous reset (RESET_n)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청