K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WD-BCTD 对比

详细并排对比 K4A4G165WD-BCRC 出自 Samsung Electronics 和 K4A4G165WD-BCTD 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ 量产中
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K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCTD
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $5.10 $19.00
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
存储组织 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
电源电压 1.2 V —
封装 FBGA-96 96-ball FBGA
安装类型 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Generation Samsung D-die —
接口类型 DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Yes (external RZQ resistor)
工作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C (commercial)
RoHS 状态 Lead free / RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
数据速率 — 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Core Supply (VPP) — 2.5 V
接口 — SSTL-12
Data Mask — Yes (DM per byte lane)
Bank Architecture — 16 banks / 4 bank groups
On-Die Termination — Dynamic ODT
CRC / CA Parity — CRC read/write support
Reset — Asynchronous reset (RESET_n)

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