K4A4G165WG-BCWE vs MT40A256M16LY-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics et MT40A256M16LY-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A256M16LY-062E MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A4G165WG-BCWE MT40A256M16LY-062E
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $16,90 $5,30
Type de mémoire DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit 4 Gbit
Memory Organization 256M x 16 —
Interface Parallel Parallel
Débit de données 3200 Mbps —
Access Time 19 ns —
Tension d'alimentation 1.2 V —
Température de fonctionnement 0C to +85C —
Boîtier FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
Statut RoHS Compliant (per JLCPCB listing) Compliant (F = RoHS/lead-free finish)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] 1.6 GHz
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Organisation de la mémoire — 256M x16
Access Time (tAA) — 19 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Rate Class — DDR4-2666 (062E speed grade)
Operating Temperature (IT variant) — -40C to +95C
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Write Leveling — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
FBGA Code — D9XSG (AUT variant)

Fiches techniques et ressources

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