K4A4G165WG-BCWE vs MT40A256M16LY-062E 比較
詳細な並列比較: K4A4G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics および MT40A256M16LY-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G165WG-BCWE | MT40A256M16LY-062E |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $16.90 | $5.30 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| データレート | 3200 Mbps | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | — |
| パッケージ | FBGA-96 | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS ステータス | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 1.6 GHz |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| メモリ構成 | — | 256M x16 |
| Access Time (tAA) | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Rate Class | — | DDR4-2666 (062E speed grade) |
| Operating Temperature (IT variant) | — | -40C to +95C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| FBGA Code | — | D9XSG (AUT variant) |