K4A4G165WG-BCWE vs MT40A256M16LY-062E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A4G165WG-BCWE por Samsung Electronics e MT40A256M16LY-062E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A256M16LY-062E MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A4G165WG-BCWE MT40A256M16LY-062E
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $16,90 $5,30
Tipo de memória DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit 4 Gbit
Memory Organization 256M x 16 —
Interface Parallel Parallel
Taxa de dados 3200 Mbps —
Access Time 19 ns —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Temperatura de operação 0C to +85C —
Encapsulamento FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
Status RoHS Compliant (per JLCPCB listing) Compliant (F = RoHS/lead-free finish)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] 1.6 GHz
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Organização da memória — 256M x16
Access Time (tAA) — 19 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Rate Class — DDR4-2666 (062E speed grade)
Operating Temperature (IT variant) — -40C to +95C
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Write Leveling — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
FBGA Code — D9XSG (AUT variant)

Fichas técnicas e recursos

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