K4A4G165WG-BCWE vs MT40A256M16LY-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WG-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 MT40A256M16LY-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WG-BCWE | MT40A256M16LY-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $16.90 | $5.30 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | — |
| 패키지 | FBGA-96 | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 1.6 GHz |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| 메모리 구성 | — | 256M x16 |
| Access Time (tAA) | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Rate Class | — | DDR4-2666 (062E speed grade) |
| Operating Temperature (IT variant) | — | -40C to +95C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| FBGA Code | — | D9XSG (AUT variant) |