K4A8G085WC-BCWE vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCWE par Samsung Electronics et H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCWE | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,38 | $2,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2400 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (parallel, double data rate) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Self-refresh and auto-refresh support |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |