K4A8G085WC-BCWE vs H5AN4G8NBJR-UHI 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCWE メーカー: Samsung Electronics および H5AN4G8NBJR-UHI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC-BCWE | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.38 | $2.25 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 512M x 8 |
| データレート | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2400 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | 78FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | DDR4 (parallel, double data rate) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| RoHS ステータス | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Self-refresh and auto-refresh support |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |