K4A8G085WC-BCWE vs H5AN4G8NBJR-UHI Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WC-BCWE от Samsung Electronics и H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WC-BCWE | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,38 | $2,25 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| Организация памяти | 1G x 8 | 512M x 8 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2400 MT/s |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 78FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | DDR4 (parallel, double data rate) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| Статус RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Self-refresh and auto-refresh support |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |