K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WM-BCTD par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WM-BCTD | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,95 | $1,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | x8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Type d'interface | Parallel (DDR4) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Rate | 1333 MHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups | — |
| Density Class | 16 Gbit monolithic DRAM | — |
| Application Class | Industrial / embedded memory | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Density | — | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Interface | — | SSTL12 |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |